Внутренний фотоэффект в полупроводниках
Электрон может перейти из валентной зоны в зону проводимости под действием света.
Энергия световых квантов дается выражением:
\[ W = hf \]
Эта энергия должна превышать ширину запрещенной зоны, однако не должна превосходить интервала между верхним краем зоны проводимости и нижним краем валентной зоны.
Внутренний фотоэффект в полупроводниках
При увеличении числа квантов с подходящей длиной волны или частотой проводимость полупроводниковых материалов возрастает. Техническое применение: фотосопротивления.
Внутренний фотоэффект в полупроводниках |
стр. 711 |
|---|
